Βαφή βαθμονόμησης Standard

Πρότυπο βαφών βαθμονόμησης με χρήση σωματιδίων μικροσφαιρών πολυστυρενίου

Ζητήστε μια προσφορά
Applied Physics παρέχει Πρότυπα Βαθμονόμησης Wafer χρησιμοποιώντας Πρότυπα μεγέθους σωματιδίων για τη βαθμονόμηση της ακρίβειας μεγέθους των KLA-Tencor Surfscan SP1, KLA-Tencor Surfscan SP2, KLA-Tencor Surfscan SP3, KLA-Tencor Surfscan SP5, KLA-Tencor Surfscan SP5, KLA-Tencor Surfscan SP6420, , Surfscan 6220, ADE, Hitachi και Topcon SSIS εργαλεία και συστήματα επιθεώρησης γκοφρέτας. Το σύστημα εναπόθεσης σωματιδίων 6200 XP2300 μπορεί να εναποθέσει σε γκοφρέτες πυριτίου 1mm, 100mm, 125mm, 150mm και 200mm χρησιμοποιώντας NIST Traceable, PSL Spheres (πρότυπα μεγέθους σωματιδίων λατέξ πολυστυρενίου) και πρότυπα μεγέθους σωματιδίων πυριτίου.

Αυτά τα πρότυπα γκοφρέτας βαθμονόμησης PSL χρησιμοποιούνται από τους Διευθυντές Μετρολογίας Ημιαγωγών για τη βαθμονόμηση των καμπυλών απόκρισης μεγέθους των Συστημάτων Επιθεώρησης Επιφανειών σάρωσης (SSIS) που κατασκευάζονται από τις KLA-Tencor, Topcon, ADE και Hitachi. Τα πρότυπα πλακιδίων PSL χρησιμοποιούνται επίσης για την αξιολόγηση της ομοιόμορφης σάρωσης ενός εργαλείου Tencor Surfscan κατά μήκος της γκοφρέτας που έχει εναποτεθεί με πυρίτιο ή φιλμ.

Ένα πρότυπο βαλβίδων βαθμονόμησης χρησιμοποιείται για την επαλήθευση και τον έλεγχο δύο προδιαγραφών ενός εργαλείου SSIS: ακρίβεια μεγέθους σε συγκεκριμένα μεγέθη σωματιδίων και ομοιομορφία σάρωσης κατά μήκος του δίσκου κατά τη διάρκεια κάθε σάρωσης. Το δισκίο βαθμονόμησης παρέχεται συχνότερα ως πλήρης εναπόθεση σε ένα μέγεθος σωματιδίων, τυπικά μεταξύ των μικρομέτρων 50nm και 12. Με την εναπόθεση στο δίσκο, δηλαδή με πλήρη εναπόθεση, τα κλειδιά του συστήματος επιθεώρησης των πλακιδίων στην κορυφή των σωματιδίων, και ο χειριστής μπορεί εύκολα να προσδιορίσει αν το εργαλείο SSIS βρίσκεται σε προδιαγραφή σε αυτό το μέγεθος. Για παράδειγμα, εάν το πρότυπο πλακιδίων είναι 100nm και το εργαλείο SSIS σαρώνει την κορυφή στα 95nm ή 105nm, τότε το εργαλείο SSIS είναι εκτός βαθμονόμησης και μπορεί να βαθμονομείται με το πρότυπο PSN Waffle 100nm. Η σάρωση σε όλο το πρότυπο πλακιδίων αναφέρει επίσης στον τεχνικό πόσο καλά ανιχνεύει το εργαλείο SSIS σε όλο το PSL Wafer Standard, ψάχνοντας για ομοιότητα ανίχνευσης σωματιδίων σε όλο το ομοιόμορφα κατατεθειμένο πρότυπο πλακιδίων. Η επιφάνεια του προτύπου δισκίου εναποτίθεται με ένα συγκεκριμένο μέγεθος PSL, χωρίς να αφήνει κανένα τμήμα του δισκίου που δεν έχει κατατεθεί στα PSL σφαιρίδια. Κατά τη διάρκεια της ανίχνευσης του PSL Wafer Standard, η ομοιομορφία της σάρωσης στο δίσκο πρέπει να υποδεικνύει ότι το εργαλείο SSIS δεν έχει παραβλέψει ορισμένες περιοχές του δίσκου κατά τη διάρκεια της σάρωσης. Η ακρίβεια καταμέτρησης σε ένα πλακίδιο πλήρους απόθεσης είναι υποκειμενική, δεδομένου ότι η μέτρηση της απόδοσης δύο διαφορετικών εργαλείων SSIS (τοποθεσία απόθεσης και τοποθεσία πελάτη) είναι διαφορετική, μερικές φορές όσο το 50 τοις εκατό. Έτσι, το ίδιο πρότυπο σκουριάς σωματιδίων που έχει κατατεθεί με πολύ υψηλή ακρίβεια μεγέθους 204nm σε μετρήσεις 2500 και υπολογίζεται από το εργαλείο SSN 1, μπορεί να σαρωθεί από το SSIS 2 στην τοποθεσία του πελάτη και η καταμέτρηση της ίδιας κορυφής 204nm μπορεί να μετρηθεί οπουδήποτε μεταξύ του αριθμού 1500 σε αριθμό 3000. Αυτή η διαφορά μέτρησης μεταξύ των δύο εργαλείων SSIS οφείλεται στην αποδοτικότητα λέιζερ κάθε PMT (πολλαπλών σωλήνων φωτογραφιών) που λειτουργούν στα δύο ξεχωριστά εργαλεία SSIS. Η ακρίβεια καταμέτρησης μεταξύ δύο διαφορετικών συστημάτων επιθεώρησης πλακών διαχωρισμού είναι συνήθως διαφορετική λόγω των διαφορών ισχύος και της έντασης ακτίνων λέιζερ των δύο συστημάτων επιθεώρησης των πλακιδίων.

Τυποποίηση βαλβίδων τυποποίησης, Πλήρης εναπόθεση, 5um - Πρότυπο βαλβίδων βαθμονόμησης, Εφαρμογή επιτόπου, 100nm

Τα Πρότυπα PSL Calibration Wafer διατίθενται σε δύο τύπους καταθέσεων: Πλήρης απόθεση και Spot Deposition που φαίνεται παραπάνω.

Μπορούν να εναποτεθούν είτε σφαιρίδια από λατέξ πολυστυρενίου (PSL σφαίρες) είτε νανοσωματίδια διοξειδίου του πυριτίου.

Τα πρότυπα PSL Wafer με μια απόθεση σημείου χρησιμοποιούνται για τη βαθμονόμηση της ακρίβειας μεγέθους ενός εργαλείου SSIS σε μια κορυφή μεγέθους ή σε πολλαπλές κορυφές μεγέθους.

Ένα Πρότυπο Βαθμονόμησης Γκοφρέτας με Σημειακή Εναπόθεση έχει το πλεονέκτημα ότι η κηλίδα των σφαιρών PSL που εναποτίθενται στη γκοφρέτα είναι καθαρά ορατή ως κηλίδα και η εναπομείνασα επιφάνεια γκοφρέτας γύρω από την εναπόθεση κηλίδων αφήνεται απαλλαγμένη από σφαίρες PSL. Το πλεονέκτημα είναι ότι με την πάροδο του χρόνου, μπορεί κανείς να πει πότε το Calibration Wafer Standard είναι πολύ βρώμικο για να χρησιμοποιηθεί ως πρότυπο αναφοράς μεγέθους. Η Spot Deposition αναγκάζει όλες τις επιθυμητές σφαίρες PSL στην επιφάνεια του πλακιδίου σε μια ελεγχόμενη θέση σημείου. Έτσι, πολύ λίγες σφαίρες PSL και βελτιωμένη ακρίβεια μέτρησης είναι το αποτέλεσμα. Applied Physics χρησιμοποιεί ένα μοντέλο 2300XP1 που χρησιμοποιεί τεχνολογία DMA (Differential Mobility Analyzer) για να διασφαλίσει ότι η ανιχνεύσιμη κορυφή μεγέθους PSL που έχει κατατεθεί είναι ακριβής και αναφέρεται στα πρότυπα μεγέθους NSIT. Ένα CPC χρησιμοποιείται για τον έλεγχο της ακρίβειας μέτρησης. Το DMA έχει σχεδιαστεί για να αφαιρεί ανεπιθύμητα σωματίδια όπως Doublets και Triplets από τη ροή σωματιδίων. Το DMA έχει επίσης σχεδιαστεί για να αφαιρεί ανεπιθύμητα σωματίδια στα αριστερά και δεξιά της κορυφής των σωματιδίων. εξασφαλίζοντας έτσι μια μονοδιεσπαρμένη κορυφή σωματιδίων που εναποτίθεται στην επιφάνεια του πλακιδίου. Η εναπόθεση χωρίς τεχνολογία DMA επιτρέπει σε ανεπιθύμητα διπλά, τρίδυμα και σωματίδια φόντου να εναποτίθενται στην επιφάνεια του πλακιδίου, μαζί με το επιθυμητό μέγεθος σωματιδίων.

Η Τεχνολογία Παραγωγής Προτύπων Βάπτισης για PSL Βαθμονόμησης
Τα πρότυπα PSF Wafer γενικά παράγονται με δύο τρόπους: άμεση απόθεση και ελεγχόμενες από DMA καταθέσεις.

Applied Physics είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει τόσο τον έλεγχο DMA Deposition όσο και τον Direct Deposition. Ο έλεγχος DMA παρέχει τη μεγαλύτερη ακρίβεια μεγέθους κάτω από 150 nm παρέχοντας πολύ στενές κατανομές μεγέθους με ελάχιστη ομίχλη, διπλές και τρίδυμες αποθέσεις στο παρασκήνιο. Παρέχεται επίσης εξαιρετική ακρίβεια μέτρησης. Η άμεση εναπόθεση PSL παρέχει καλές αποθέσεις από 150nm έως 5 μικρά.

Άμεση απόθεση

Η μέθοδος της άμεσης απόθεσης χρησιμοποιεί μία πηγή σφαιριδίου από μονοδιασπαρμένο σφαιρόπυρο πολυστερίνης ή μονοδιασπαρμένη πηγή πυριτικού νανοσωματιδίου, αραιωμένη στην κατάλληλη συγκέντρωση, αναμιγμένη με ροή αέρα υψηλής ροής ή ροή ξηρού αζώτου και ομοιόμορφα εναποτιθέμενη πάνω σε πλακίδιο πυριτίου ή κενή φωτογραφία μάσκα ως πλήρης εναπόθεση ή μια επιτόπου εναπόθεση. Η άμεση απόθεση είναι λιγότερο δαπανηρή, αλλά λιγότερο ακριβής στην ακρίβεια του μεγέθους. Χρησιμοποιείται καλύτερα για καταθέσεις μεγέθους PSL από 1 micron έως 12 microns.

Αν συγκριθούν αρκετές εταιρείες που παράγουν το ίδιο μέγεθος σφαιρών από λατέξ πολυστυρενίου, για παράδειγμα στα 204nm, μπορεί να μετρηθεί όσο το 3% διαφορά στο μέγεθος κορυφής των δύο καταθέσεων PSL από τις εταιρείες. Οι μέθοδοι κατασκευής, τα όργανα μέτρησης και οι τεχνικές μέτρησης προκαλούν αυτό το δέλτα. Αυτό σημαίνει ότι κατά την εναπόθεση σφαιρών από λατέξ πολυστυρενίου ως "άμεση απόθεση" από μια πηγή φιαλών, το κατατεθειμένο μέγεθος δεν αναλύεται με έναν διαφορικό αναλυτή κινητικότητας και το αποτέλεσμα θα είναι οποιαδήποτε μεταβολή μεγέθους, η οποία είναι στην πηγή φιαλών σφαιροπλαστικής πολυστερίνης. Το DMA έχει την ικανότητα να απομονώνει μια πολύ συγκεκριμένη κορυφή μεγέθους

Αναλυτής διαφορικής κινητικότητας, απόθεση σωματιδίων DMA

Η δεύτερη και πολύ ακριβέστερη μέθοδος είναι ο έλεγχος απόθεσης DMA (Αναλυτικός Κινητικότητα Αναλυτής). Ο έλεγχος DMA επιτρέπει να ελέγχονται βασικές παράμετροι όπως η ροή του αέρα, η πίεση του αέρα και η τάση DMA είτε χειροκίνητα είτε μέσω αυτοματοποιημένου ελέγχου συνταγής πάνω από τα σφαιρίδια PSL και σωματίδια πυριτίας που πρόκειται να εναποτεθούν. Το DMA βαθμονομείται στα πρότυπα NIST στα 60nm, 102nm, 269nm και 895nm. Οι σφαίρες PSL και τα σωματίδια πυριτίας αραιώνονται με DI νερό στην επιθυμητή συγκέντρωση, στη συνέχεια ψεκάζονται σε αεροζόλ και αναμιγνύονται με ξηρό αέρα ή ξηρό άζωτο για να εξατμιστεί το DI νερό που περιβάλλει κάθε σφαίρα ή σωματίδιο. Το μπλοκ διάγραμμα στο δεξί μέρος περιγράφει τη διαδικασία. Το ρεύμα αερολύματος στη συνέχεια φορτίζεται εξουδετερωμένο για να απομακρυνθούν τα διπλά και τριπλά φορτία από το ρεύμα αέρα σωματιδίων. Το ρεύμα των σωματιδίων κατευθύνεται στη συνέχεια στο DMA χρησιμοποιώντας πολύ ακριβή έλεγχο ροής αέρα χρησιμοποιώντας ελεγκτές ροής μάζας. και τον έλεγχο της τάσης χρησιμοποιώντας υψηλής ακρίβειας τροφοδοτικά. Το DMA απομονώνει μια επιθυμητή κορυφή σωματιδίων από το ρεύμα αέρα, απομακρύνοντας επίσης τα ανεπιθύμητα σωματίδια φόντου στην αριστερή και τη δεξιά πλευρά της επιθυμητής κορυφής μεγέθους. Το DMA παρέχει μια στενή κορυφή μεγέθους σωματιδίων στο ακριβές μέγεθος που επιθυμείται βάσει της βαθμονόμησης μεγέθους NIST. που στη συνέχεια κατευθύνεται προς την επιφάνεια δισκίου για εναπόθεση. Η επιθυμητή κορυφή σωματιδίων τυπικά είναι 3 τοις εκατό ή λιγότερο στο πλάτος κατανομής, εναποτίθεται ομοιόμορφα κατά μήκος της πλάκας ως πλήρης απόθεση ή εναποτίθεται σε ένα μικρό στρογγυλό σημείο σε οποιοδήποτε σημείο γύρω από το δίσκο, που ονομάζεται απόθεση SPOT. Ο μετρητής των σωματιδίων παρακολουθείται ταυτόχρονα για καταμέτρηση στην επιφάνεια του δίσκου. Η βαθμονόμηση DMA χρησιμοποιώντας τα πρότυπα μεγέθους NIST Traceable Size, εξασφαλίζει ότι η κορυφή μεγέθους είναι πολύ ακριβής σε μέγεθος. και στενό για να παρέχει εξαιρετική βαθμονόμηση μεγέθους σωματιδίων για ένα σύστημα επιθεώρησης πέλματος KLA-Tencor SP1 και KLA-Tencor SP2, SP3, SP5 ή SP5xp.

Εάν τα σφαιρίδια 204nm PSL από δύο διαφορετικούς κατασκευαστές χρησιμοποιήθηκαν σε σύστημα ελεγχόμενης απόθεσης σωματιδίων DMA, το DMA θα απομονώσει την ίδια κορυφή του ακριβούς μεγέθους από αυτές τις δύο διαφορετικές φιάλες PSL, έτσι ώστε να τοποθετηθεί ακριβής 204nm πάνω στην επιφάνεια του πλακιδίου.

Ένα σύστημα ελεγχόμενης από DMA σύστημα απόθεσης σωματιδίων είναι σε θέση να παρέχει πολύ καλύτερη ακρίβεια μετρήσεων, καθώς και έλεγχο των συνταγών υπολογιστή σε ολόκληρη την εναπόθεση. Επιπλέον, ένα σύστημα βασισμένο σε DMA μπορεί να τοποθετήσει νανοσωματίδια πυριτίου από 50nm σε 2 microns σε διάμετρο σωματιδίων διοξειδίου του πυριτίου.

Βαθμονόμηση Wafer Standard – Ζητήστε προσφορά
PSL Calibration Wafer Standard From Applied Physics Inc.PSL Calibration Wafer Standard From Applied Physics Α.Ε.